casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW270RJ
codice articolo del costruttore | TA810PW270RJ |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW270RJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW270RJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 270 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW270RJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW270RJ-FT |
TA303PA12R0J
Ohmite
TA303PA150RJ
Ohmite
TA303PA1K00J
Ohmite
TA303PA1K50J
Ohmite
TA303PA1K80J
Ohmite
TA303PA200RJ
Ohmite
TA303PA20R0J
Ohmite
TA303PA24R0J
Ohmite
TA303PA270RJ
Ohmite
TA303PA27R0J
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel