casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TA810PW250RJ
codice articolo del costruttore | TA810PW250RJ |
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Numero di parte futuro | FT-TA810PW250RJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Power Chip® TA |
TA810PW250RJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 250 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 10W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±50ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 180°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powerchip® |
Dimensione / Dimensione | 1.085" L x 0.240" W (27.56mm x 6.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.020" (25.91mm) |
Numero di terminazioni | 4 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA810PW250RJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA810PW250RJ-FT |
TA303PA10R0J
Ohmite
TA303PA12R0J
Ohmite
TA303PA150RJ
Ohmite
TA303PA1K00J
Ohmite
TA303PA1K50J
Ohmite
TA303PA1K80J
Ohmite
TA303PA200RJ
Ohmite
TA303PA20R0J
Ohmite
TA303PA24R0J
Ohmite
TA303PA270RJ
Ohmite
ICE5LP4K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
APA600-BGG456
Microsemi Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
XC5VLX220-1FFG1760C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC33-2X
Intel