casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCRs - Moduli / TA20181803DH
codice articolo del costruttore | TA20181803DH |
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Numero di parte futuro | FT-TA20181803DH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TA20181803DH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Single |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR |
Voltaggio - Off State | 1.8kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 1800A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 2820A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 4.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 36500A, 40000A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-200AE Variation |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TA20181803DH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TA20181803DH-FT |
VS-VSKT170-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT170-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-18PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT230-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT250-04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XA6SLX75T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
XC2VP50-5FF1152C
Xilinx Inc.
XA6SLX16-2CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160I
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel