casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCRs - Moduli / T620162004DN
codice articolo del costruttore | T620162004DN |
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Numero di parte futuro | FT-T620162004DN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
T620162004DN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Single |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR |
Voltaggio - Off State | 1.6kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 200A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 315A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 3650A, 4000A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount, 8" Wire Lead |
Pacchetto / caso | TO-200AB, A-PUK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T620162004DN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | T620162004DN-FT |
TT425N16KOFHPSA3
Infineon Technologies
TT425N18KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT430N22KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N12KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N14KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N18KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT570N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT61N12KOFKHPSA1
Infineon Technologies
TT61N14KOFHPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-2000HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA9K2H40C2N
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19I7N
Intel