casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCRs - Moduli / T620122004DN
codice articolo del costruttore | T620122004DN |
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Numero di parte futuro | FT-T620122004DN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
T620122004DN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Single |
Numero di SCR, diodi | 1 SCR |
Voltaggio - Off State | 1.2kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 200A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 315A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 150mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 3650A, 4000A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount, 8" Wire Lead |
Pacchetto / caso | TO-200AB, A-PUK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
T620122004DN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | T620122004DN-FT |
TT400N24KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT400N26KOFHPSA1
Infineon Technologies
TT425N12KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT425N14KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT425N16KOFHPSA3
Infineon Technologies
TT425N18KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT430N22KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N12KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N14KOFHPSA2
Infineon Technologies
TT500N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
A1415A-1PQ100M
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FG676I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
5SGXMBBR2H43I2N
Intel
LCMXO2280E-4M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation