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Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK,LM

Name: T2N7002AK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002AK,LM
Price: 0.0204 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (360 reviews)

Numero parte MFG: T2N7002AK,LM

quantità disponibile: 75920 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.0204

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: U-MOSVII-H MOSFET N-CH 60V 0.2A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: T2N7002AK,LM.pdf

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T2N7002AK,LM specificazioni

codice articolo del costruttore	T2N7002AK,LM
Numero di parte futuro	FT-T2N7002AK,LM
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVII-H
T2N7002AK,LM Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	320mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
T2N7002AK,LM Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	T2N7002AK,LM-FT

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