casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / SZESD7371P2T5G
codice articolo del costruttore | SZESD7371P2T5G |
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Numero di parte futuro | FT-SZESD7371P2T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SZESD7371P2T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5.3V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive, RF Antenna |
Capacità @ frequenza | 0.43pF @ 1MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-923 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SZESD7371P2T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SZESD7371P2T5G-FT |
S2ZMMBZ18VALT1G
ON Semiconductor
SZSL15T1G
ON Semiconductor
MMBZ5V6ALT3G
ON Semiconductor
MMBZ16VTALT1G
ON Semiconductor
MMBZ27VALT1G
ON Semiconductor
MMBZ27VALT3G
ON Semiconductor
MMBZ47VTALT1G
ON Semiconductor
MMBZ9V1ALT1G
ON Semiconductor
S1ZMMBZ12VALT1G
ON Semiconductor
S1ZMMBZ27VALT3G
ON Semiconductor
XC3S200A-4FG320I
Xilinx Inc.
A1010B-PLG68I
Microsemi Corporation
EP3SL340F1760I3
Intel
5SGXEA9K2H40I2
Intel
XC5VLX30-1FF676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel