casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUP28N15-52-E3
codice articolo del costruttore | SUP28N15-52-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUP28N15-52-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUP28N15-52-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1725pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUP28N15-52-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUP28N15-52-E3-FT |
IRF730BPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30APBF
Vishay Siliconix
IRLZ14PBF
Vishay Siliconix
SIHP17N60D-E3
Vishay Siliconix
SIHP5N50D-GE3
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IRFB18N50K
Vishay Siliconix
IRFBF30
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IRF1405ZTRL
Vishay Siliconix
IRF1405ZTRR
Vishay Siliconix
IRF510
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel