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Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3

Name: SUD35N10-26P-T4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD35N10-26P-T4GE3
Price: 0.890136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (172 reviews)

Numero parte MFG: SUD35N10-26P-T4GE3

quantità disponibile: 16550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.890136

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SUD35N10-26P-T4GE3.pdf

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SUD35N10-26P-T4GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SUD35N10-26P-T4GE3
Numero di parte futuro	FT-SUD35N10-26P-T4GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SUD35N10-26P-T4GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N10-26P-T4GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SUD35N10-26P-T4GE3-FT

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