casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD20N10-66L-GE3
codice articolo del costruttore | SUD20N10-66L-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD20N10-66L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD20N10-66L-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD20N10-66L-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD20N10-66L-GE3-FT |
SIHP28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
SIHP30N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SIHP11N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP12N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-E3
Vishay Siliconix
SIHP10N40D-GE3
Vishay Siliconix
SIHP14N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHFB11N50A-E3
Vishay Siliconix
SIHFB20N50K-E3
Vishay Siliconix
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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EP4CE75F29C8
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