casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD15N15-95-E3
codice articolo del costruttore | SUD15N15-95-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD15N15-95-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD15N15-95-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.7W (Ta), 62W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD15N15-95-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD15N15-95-E3-FT |
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ474EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ479EP-T1_GE3
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SQJ840EP-T1_GE3
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SQJ868EP-T1_GE3
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SQJA00EP-T1_GE3
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SQJA02EP-T1_GE3
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SQJA04EP-T1_GE3
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SQJA06EP-T1_GE3
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