casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STWA48N60DM2
codice articolo del costruttore | STWA48N60DM2 |
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Numero di parte futuro | FT-STWA48N60DM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DM2 |
STWA48N60DM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3250pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 Long Leads |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STWA48N60DM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STWA48N60DM2-FT |
STW56N60DM2
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XC2V1000-5BGG575I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121C
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10AX016E4F29E3SG
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