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STMicroelectronics STW65N65DM2AG

Name: STW65N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW65N65DM2AG
Price: 7.704 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (696 reviews)

Numero parte MFG: STW65N65DM2AG

quantità disponibile: 51460 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 7.704

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 650V 60A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STW65N65DM2AG.pdf

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STW65N65DM2AG specificazioni

codice articolo del costruttore	STW65N65DM2AG
Numero di parte futuro	FT-STW65N65DM2AG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STW65N65DM2AG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5500pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	446W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW65N65DM2AG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STW65N65DM2AG-FT

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