casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STW35N60DM2
codice articolo del costruttore | STW35N60DM2 |
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Numero di parte futuro | FT-STW35N60DM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ DM2 |
STW35N60DM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW35N60DM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STW35N60DM2-FT |
STI11NM60ND
STMicroelectronics
STI11NM80
STMicroelectronics
STI12N65M5
STMicroelectronics
STI12NM50N
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STI13NM60N
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STI14NM65N
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STI15NM60N
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STI15NM60ND
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STI16NM50N
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STI17NF25
STMicroelectronics
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel