casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU6N65M2
codice articolo del costruttore | STU6N65M2 |
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Numero di parte futuro | FT-STU6N65M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ |
STU6N65M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 226pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU6N65M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STU6N65M2-FT |
STB10LN80K5
STMicroelectronics
STB10N60M2
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STB10N95K5
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STB11N65M5
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STB13N80K5
STMicroelectronics
STB14N80K5
STMicroelectronics
STB15N65M5
STMicroelectronics
STB15N80K5
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STB17N80K5
STMicroelectronics
STB18N60DM2
STMicroelectronics
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel