casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STU5N65M6
codice articolo del costruttore | STU5N65M6 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STU5N65M6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ M6 |
STU5N65M6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.75V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU5N65M6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STU5N65M6-FT |
SIPC19N80C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC26N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC26N60C3X1SA5
Infineon Technologies
SIPC26N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC26N60S5X1SA1
Infineon Technologies
SIPC30N60C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC30N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
SIPC44N50C3X1SA2
Infineon Technologies
SIPC46N60C3X1SA1
Infineon Technologies
SIPC46N60CFDX1SA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel