casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STTH12R06DIRG
codice articolo del costruttore | STTH12R06DIRG |
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Numero di parte futuro | FT-STTH12R06DIRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STTH12R06DIRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 45µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Insulated, TO-220AC |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC ins |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH12R06DIRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH12R06DIRG-FT |
S12JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S12MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3A M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3A R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3B M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3B R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3D M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3G M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3J M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel