casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STTH1210D
codice articolo del costruttore | STTH1210D |
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Numero di parte futuro | FT-STTH1210D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STTH1210D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTH1210D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTH1210D-FT |
STPS2L40U
STMicroelectronics
STTH1R02U
STMicroelectronics
STTH2R02UY
STMicroelectronics
STPS130U
STMicroelectronics
STPS1L40UY
STMicroelectronics
STTH3BCF060U
STMicroelectronics
STTH3R06U
STMicroelectronics
STTH1R04U
STMicroelectronics
STTH4R02U
STMicroelectronics
STTH4R02UY
STMicroelectronics
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel