casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / STTA2512P
codice articolo del costruttore | STTA2512P |
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Numero di parte futuro | FT-STTA2512P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TURBOSWITCH™ |
STTA2512P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 25A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 110ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 480V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-93-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STTA2512P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STTA2512P-FT |
MURF30020
GeneSiC Semiconductor
MURF30020R
GeneSiC Semiconductor
MURF30040
GeneSiC Semiconductor
MURF30040R
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MURF30060
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MURF30060R
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MURF40005
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MURF40010R
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
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EP3C120F484I7
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