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STMicroelectronics STS1HNK60

Numero parte MFG
STS1HNK60
quantità disponibile
83610 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
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STS1HNK60 specificazioni

codice articolo del costruttore STS1HNK60
Numero di parte futuro FT-STS1HNK60
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperMESH™
STS1HNK60 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 156pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS1HNK60 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STS1HNK60-FT

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