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STMicroelectronics STS19N3LLH6

Name: STS19N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS19N3LLH6
Availability: InStock
Rating: 4.7 (158 reviews)

Numero parte MFG: STS19N3LLH6

quantità disponibile: 41980 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STS19N3LLH6.pdf

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STS19N3LLH6 specificazioni

codice articolo del costruttore	STS19N3LLH6
Numero di parte futuro	FT-STS19N3LLH6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
STS19N3LLH6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS19N3LLH6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STS19N3LLH6-FT

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