casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STS10N3LH5
codice articolo del costruttore | STS10N3LH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STS10N3LH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STS10N3LH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±22V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS10N3LH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STS10N3LH5-FT |
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
STB50NE10T4
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STB50NF25
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STB5NK50ZT4
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STB60N55F3
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STB60NE06L-16T4
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STB60NH02LT4
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STB6NM60N
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STB70NF03LT4
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A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel