casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STS10N3LH5
codice articolo del costruttore | STS10N3LH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STS10N3LH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STS10N3LH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±22V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS10N3LH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STS10N3LH5-FT |
STB4NK60ZT4
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STB50NE10T4
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STB50NF25
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
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5SGXMA7N2F45I2N
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5SGXMA5H2F35C2LN
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EP3SL150F780C4
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