casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STPSC1006G-TR
codice articolo del costruttore | STPSC1006G-TR |
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Numero di parte futuro | FT-STPSC1006G-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STPSC1006G-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 650pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STPSC1006G-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STPSC1006G-TR-FT |
STPS2L30AF
STMicroelectronics
STPR120A
STMicroelectronics
STPS1H100AF
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STPS2200U
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STPS160U
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STPS340UY
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STTH1R04UY
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STPS160UY
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STPS3L60UY
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STPS3150RL
STMicroelectronics
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel