casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / STPS30100ST
codice articolo del costruttore | STPS30100ST |
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Numero di parte futuro | FT-STPS30100ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STPS30100ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 175µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STPS30100ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STPS30100ST-FT |
STTH8L06G-TR
STMicroelectronics
STPS1545G
STMicroelectronics
STTH802G
STMicroelectronics
STTH20R04G-TR
STMicroelectronics
STTH802G-TR
STMicroelectronics
STTH8R04G-TR
STMicroelectronics
STTH1512G-TR
STMicroelectronics
STTH15RQ06G-TR
STMicroelectronics
STTH3010GY-TR
STMicroelectronics
STTH30ST06GY-TR
STMicroelectronics
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel