casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP6N120K3
codice articolo del costruttore | STP6N120K3 |
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Numero di parte futuro | FT-STP6N120K3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH3™ |
STP6N120K3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP6N120K3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP6N120K3-FT |
STP11NM60
STMicroelectronics
STP11NM60A
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STP11NM60N
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STP120N10F4
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STP120NF04
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STP120NH03L
STMicroelectronics
STP12N50M2
STMicroelectronics
STP12N65M5
STMicroelectronics
STP12NK60Z
STMicroelectronics
STP12NM50FD
STMicroelectronics
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel