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STMicroelectronics STP35N60DM2

Name: STP35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP35N60DM2
Price: 4.312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (313 reviews)

Numero parte MFG: STP35N60DM2

quantità disponibile: 54650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 4.312

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 600V 28A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STP35N60DM2.pdf

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STP35N60DM2 specificazioni

codice articolo del costruttore	STP35N60DM2
Numero di parte futuro	FT-STP35N60DM2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	MDmesh™ DM2
STP35N60DM2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (massimo)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	210W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP35N60DM2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STP35N60DM2-FT

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