casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP30N10F7
codice articolo del costruttore | STP30N10F7 |
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Numero di parte futuro | FT-STP30N10F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ |
STP30N10F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP30N10F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP30N10F7-FT |
SIRA66DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SSM3J140TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
FDD9410L-F085
ON Semiconductor
NTTFS5CS73NLTWG
ON Semiconductor
AUIRF8736M2TR
Infineon Technologies
DMN3009LFVW-7
Diodes Incorporated
HUF75639P3-F102
ON Semiconductor
DMN90H8D5HCTI
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel