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STMicroelectronics STP165N10F4

Name: STP165N10F4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP165N10F4
Price: 3.256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (258 reviews)

Numero parte MFG: STP165N10F4

quantità disponibile: 57660 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 3.256

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: DeepGATE™, STripFET™ MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: STP165N10F4.pdf

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STP165N10F4 specificazioni

codice articolo del costruttore	STP165N10F4
Numero di parte futuro	FT-STP165N10F4
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	DeepGATE™, STripFET™
STP165N10F4 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	315W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP165N10F4 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	STP165N10F4-FT

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