casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STP14NK60Z
codice articolo del costruttore | STP14NK60Z |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-STP14NK60Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperMESH™ |
STP14NK60Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 160W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP14NK60Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STP14NK60Z-FT |
STP10N60M2
STMicroelectronics
STP11N65M2
STMicroelectronics
STP11N65M5
STMicroelectronics
STP11NM80
STMicroelectronics
STP12N120K5
STMicroelectronics
STP12N60M2
STMicroelectronics
STP12NM50
STMicroelectronics
STP13N60M2
STMicroelectronics
STP13NM60N
STMicroelectronics
STP15N95K5
STMicroelectronics
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel