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STMicroelectronics STP10N62K3

Numero parte MFG
STP10N62K3
quantità disponibile
24420 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.952
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Data di spedizione
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fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
SuperMESH3™ MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-STP10N62K3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SuperMESH3™
STP10N62K3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 620V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP10N62K3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio STP10N62K3-FT

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