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codice articolo del costruttore | STN5PF02V |
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Numero di parte futuro | FT-STN5PF02V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ II |
STN5PF02V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 2.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 412pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STN5PF02V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STN5PF02V-FT |
FQT5P10TF
ON Semiconductor
STN3N45K3
STMicroelectronics
STN4NF06L
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NDT451AN
ON Semiconductor
IRFL210TRPBF
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FQT1N80TF-WS
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A54SX32A-TQG176M
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M1AFS250-FG256
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APA600-FG676I
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5SGSMD6K1F40C2LN
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EP4SE360H29I3
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5SGXEA7N3F45C2LN
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LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
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