casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STN3P6F6
codice articolo del costruttore | STN3P6F6 |
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Numero di parte futuro | FT-STN3P6F6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STN3P6F6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STN3P6F6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STN3P6F6-FT |
STF11N65K3
STMicroelectronics
STF11NM60N
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STF12NM50N
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STF12NM60N
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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XC4052XL-09HQ304C
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A3P125-2PQ208I
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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