casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL42N65M5
codice articolo del costruttore | STL42N65M5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL42N65M5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ V |
STL42N65M5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta), 34A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 208W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (8x8) HV |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL42N65M5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL42N65M5-FT |
STD8NM60ND
STMicroelectronics
STD90N02L
STMicroelectronics
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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