casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL25N15F4
codice articolo del costruttore | STL25N15F4 |
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Numero di parte futuro | FT-STL25N15F4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ |
STL25N15F4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2710pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 80W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL25N15F4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL25N15F4-FT |
STB230NH03L
STMicroelectronics
STB23NM60N
STMicroelectronics
STB23NM60ND
STMicroelectronics
STB24NM65N
STMicroelectronics
STB25NM50N
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STB25NM60N
STMicroelectronics
STB25NM60ND
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STB300NH02L
STMicroelectronics
STB30NM50N
STMicroelectronics
STB30NM60N
STMicroelectronics
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel