casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL160N4F7
codice articolo del costruttore | STL160N4F7 |
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Numero di parte futuro | FT-STL160N4F7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ F7 |
STL160N4F7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 111W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL160N4F7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL160N4F7-FT |
DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated
FDMT1D3N08B
ON Semiconductor
NTMFS08N004C
ON Semiconductor
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
SIRA64DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA66DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SSM3J140TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LK3Q-13
Diodes Incorporated
FDD9410L-F085
ON Semiconductor
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel