casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL12N65M5
codice articolo del costruttore | STL12N65M5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL12N65M5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MDmesh™ V |
STL12N65M5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 4.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 644pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL12N65M5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL12N65M5-FT |
STB200NF04T4
STMicroelectronics
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
STB21NK50Z
STMicroelectronics
STB21NM50N
STMicroelectronics
STB21NM60N
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STB22NS25ZT4
STMicroelectronics
STB230NH03L
STMicroelectronics
STB23NM60N
STMicroelectronics
STB23NM60ND
STMicroelectronics
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation