casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STL12N3LLH5
codice articolo del costruttore | STL12N3LLH5 |
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Numero di parte futuro | FT-STL12N3LLH5 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ V |
STL12N3LLH5 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±22V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL12N3LLH5 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL12N3LLH5-FT |
STB200NF04L
STMicroelectronics
STB200NF04T4
STMicroelectronics
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
STB21NK50Z
STMicroelectronics
STB21NM50N
STMicroelectronics
STB21NM60N
STMicroelectronics
STB22NS25ZT4
STMicroelectronics
STB230NH03L
STMicroelectronics
STB23NM60N
STMicroelectronics
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel