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codice articolo del costruttore | STL105NS3LLH7 |
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Numero di parte futuro | FT-STL105NS3LLH7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
STL105NS3LLH7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL105NS3LLH7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STL105NS3LLH7-FT |
STB200N4F3
STMicroelectronics
STB200N6F3
STMicroelectronics
STB200NF04L
STMicroelectronics
STB200NF04T4
STMicroelectronics
STB20NK50ZT4
STMicroelectronics
STB20NM50FDT4
STMicroelectronics
STB21NK50Z
STMicroelectronics
STB21NM50N
STMicroelectronics
STB21NM60N
STMicroelectronics
STB22NS25ZT4
STMicroelectronics
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel