casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STH180N4F6-2
codice articolo del costruttore | STH180N4F6-2 |
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Numero di parte futuro | FT-STH180N4F6-2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ F6 |
STH180N4F6-2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7735pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH180N4F6-2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STH180N4F6-2-FT |
STMFS5C628NLT1G
ON Semiconductor
FDPF2D3N10C
ON Semiconductor
DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated
FDMT1D3N08B
ON Semiconductor
NTMFS08N004C
ON Semiconductor
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
SIRA64DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA66DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SSM3J140TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH4005SPSQ-13
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation