casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / STH130N8F7-2
codice articolo del costruttore | STH130N8F7-2 |
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Numero di parte futuro | FT-STH130N8F7-2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | STripFET™ F7 |
STH130N8F7-2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 205W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | H2Pak-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STH130N8F7-2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STH130N8F7-2-FT |
NTMFS4C054NT1G
ON Semiconductor
STMFS5C628NLT1G
ON Semiconductor
FDPF2D3N10C
ON Semiconductor
DMN10H170SFDE-7
Diodes Incorporated
FDMT1D3N08B
ON Semiconductor
NTMFS08N004C
ON Semiconductor
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
SIRA64DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA66DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SSM3J140TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel