casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGWA35HF60WDI
codice articolo del costruttore | STGWA35HF60WDI |
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Numero di parte futuro | FT-STGWA35HF60WDI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGWA35HF60WDI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 260W |
Cambiare energia | 185µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 140nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 30ns/175ns |
Condizione di test | 390V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 85ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGWA35HF60WDI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGWA35HF60WDI-FT |
IRGS15B60KPBF
Infineon Technologies
IRGS30B60KPBF
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IRGS4045DPBF
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IRGS4045DTRLPBF
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IRGS4062DTRLPBF
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A54SX32A-1TQG144M
Microsemi Corporation
LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
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EP3C16E144C7
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EP4S100G3F45I3
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EP4SGX530KH40C3NES
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