casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGW40M120DF3
codice articolo del costruttore | STGW40M120DF3 |
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Numero di parte futuro | FT-STGW40M120DF3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGW40M120DF3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 468W |
Cambiare energia | 1.5mJ (on), 2.25mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 125nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 35ns/140ns |
Condizione di test | 600V, 40A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 355ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW40M120DF3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGW40M120DF3-FT |
TIG052TS-TL-E
ON Semiconductor
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
STGFW40H65FB
STMicroelectronics
STGFW30H65FB
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STGFW40V60DF
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STGFW20H65FB
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LCMXO256E-4TN100C
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M2GL050S-1FG484I
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5SGXEA7H3F35C4
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5SGXMA7H2F35C2
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AX1000-1FGG676I
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M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SCM153I7G
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EP1C4F324C7N
Intel