casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGW30NC60KD
codice articolo del costruttore | STGW30NC60KD |
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Numero di parte futuro | FT-STGW30NC60KD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGW30NC60KD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 125A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
Potenza - Max | 200W |
Cambiare energia | 350µJ (on), 435µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 96nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 29ns/120ns |
Condizione di test | 480V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 40ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW30NC60KD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGW30NC60KD-FT |
IRGS14C40LTRLP
Infineon Technologies
IRGS15B60KDPBF
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IRGS4056DPBF
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XA3S250E-4PQG208Q
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XC7S75-1FGGA484C
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
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5SGXEA7K2F40I3N
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5SGXEB5R3F40I3N
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EP4CE15E22C9LN
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XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
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LFE2M35E-6F672C
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EP4SGX360HF35C4N
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