casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGW15H120F2
codice articolo del costruttore | STGW15H120F2 |
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Numero di parte futuro | FT-STGW15H120F2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGW15H120F2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 60A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 259W |
Cambiare energia | 380µJ (on), 370µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 67nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/111ns |
Condizione di test | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW15H120F2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGW15H120F2-FT |
SGB30N60ATMA1
Infineon Technologies
SKB02N120ATMA1
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SKB02N60ATMA1
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SKB02N60E3266ATMA1
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SKB15N60ATMA1
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