casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGP30H65F
codice articolo del costruttore | STGP30H65F |
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Numero di parte futuro | FT-STGP30H65F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGP30H65F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 260W |
Cambiare energia | 350µJ (on), 400µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 105nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/160ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGP30H65F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGP30H65F-FT |
STGWA40S120DF3
STMicroelectronics
STGW35NC120HD
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STGW35NC60WD
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XC3S200A-5FGG320C
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XC6SLX75-2FG676C
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EP3SL340F1760I4
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AGLP030V2-CSG289I
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A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
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LCMXO2-4000HC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F31C7N
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10AX057N4F40I3SG
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