casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGP19NC60W
codice articolo del costruttore | STGP19NC60W |
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Numero di parte futuro | FT-STGP19NC60W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGP19NC60W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 130W |
Cambiare energia | 81µJ (on), 125µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 53nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/90ns |
Condizione di test | 390V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGP19NC60W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGP19NC60W-FT |
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XC3S500E-5FGG320C
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XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
A3PE600L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256T
Microsemi Corporation
5CEFA9F27C7N
Intel
LFE2-12E-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF780C3N
Intel
EP3CLS200F780C8N
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