casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGP19NC60SD
codice articolo del costruttore | STGP19NC60SD |
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Numero di parte futuro | FT-STGP19NC60SD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGP19NC60SD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 130W |
Cambiare energia | 135µJ (on), 815µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 54.5nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17.5ns/175ns |
Condizione di test | 480V, 12A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 31ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGP19NC60SD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGP19NC60SD-FT |
STGF7NC60HD
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STGF15M65DF2
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XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XCV150-4FG456I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE260F1152C4
Intel
A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation