casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGF30M65DF2
codice articolo del costruttore | STGF30M65DF2 |
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Numero di parte futuro | FT-STGF30M65DF2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
STGF30M65DF2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Potenza - Max | 38W |
Cambiare energia | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 80nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 31.6ns/115ns |
Condizione di test | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 140ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGF30M65DF2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGF30M65DF2-FT |
IKW50N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
IKW50N65F5AXKSA1
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XA3S250E-4PQG208Q
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5SGXEB5R3F40I3N
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XC7S6-2CSGA225C
Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360HF35C4N
Intel