casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGD3NC120H-1
codice articolo del costruttore | STGD3NC120H-1 |
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Numero di parte futuro | FT-STGD3NC120H-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STGD3NC120H-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 16A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 20A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
Potenza - Max | 105W |
Cambiare energia | 236µJ (on), 290µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 24nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 15ns/118ns |
Condizione di test | 800V, 3A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGD3NC120H-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGD3NC120H-1-FT |
IKFW50N60ETXKSA1
Infineon Technologies
IKFW75N60ETXKSA1
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A54SX32A-1TQG144M
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LFXP3C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV405E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
EP1M120F484I6
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EP3C16E144C7
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EP4S100G3F45I3
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EP4SGX530KH40C3NES
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