casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / STGB8NC60KDT4
codice articolo del costruttore | STGB8NC60KDT4 |
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Numero di parte futuro | FT-STGB8NC60KDT4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerMESH™ |
STGB8NC60KDT4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 15A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 30A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 3A |
Potenza - Max | 65W |
Cambiare energia | 55µJ (on), 85µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 19nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 17ns/72ns |
Condizione di test | 390V, 3A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 23.5ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGB8NC60KDT4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STGB8NC60KDT4-FT |
STGW35NB60S
STMicroelectronics
STGW40N120KD
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STGW40S120DF3
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STGW50H60DF
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STGWT60V60DLF
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M1A3PE1500-FGG484I
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M2GL005-1FGG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
10M50DAF484C6GES
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EPF10K100EFC256-3
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5SGXMABN3F45I3N
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LCMXO640C-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31C7N
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10AX057K2F40I2SG
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EP2SGX130GF1508C4N
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